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 真空鍍膜運用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子碰擊靶材(target)外表, 靶材的原子被彈出而堆積在基板外表構成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,可是鍍膜速度卻比蒸鍍慢許多。新式的濺鍍設備簡直都運用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加快靶材周圍的氬氣離子化, 造成靶與氬氣離子間的碰擊機率添加, 進步濺鍍速率。

通常金屬鍍膜大都選用直流濺鍍,而不導電的陶磁資料則運用RF溝通濺鍍,根本的原理是在真空中運用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子碰擊靶(target)外表，電漿中的陽離子會加快沖向作為被濺鍍材的負電極外表，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上構成薄膜。通常來說，運用濺鍍制程進行薄膜披覆有幾項特色：

  (1)金屬、合金或絕緣物均可做成薄膜資料。

  (2)再恰當的設定條件下可將多元雜亂的靶材制造出同一構成的薄膜。

  (3)運用放電氛圍中參加氧或其它的活性氣體，能夠制造靶材物質與氣體分子的混合物或化合物。

  (4)靶材輸入電流及濺射時刻能夠控制，簡單得到高精度的膜厚。

  (5)較其它制程利于出產大面積的均一薄膜。

  (6)濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自在組織。

  (7)基板與膜的附著強度是通常蒸鍍膜的10倍以上，且因為濺射粒子帶有高能量，在成膜面會持續外表擴散而得到硬且細密的薄膜，一起此高能量使基板只需較低的溫度即可得到結晶膜。

 （8)薄膜構成前期成核密度高，可出產10nm以下的極薄接連膜。

  (9)靶材的壽命長，可長時刻自動化接連出產。

  (10)靶材可制造成各種形狀，合作機臺的特殊規劃做非常好的控制及有功率的出產。