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PVD 是物理氣相淀積，指通過物理手段（電、磁、重力），令氣體中的特定成分淀積在晶圓表面，形成薄膜。磁控濺射是PVD 的一種，屬于比較老的薄膜生長技術之一，優點是成本較低，可以生長的薄膜種類多，缺點是薄膜一致性較差，臺階覆蓋不好，強度較低。

CVD 是化學氣相淀積，指令氣體在晶圓表面發生化學反應，反應產物附著在晶圓表面形成薄膜。典型的如四氫化硅氣體與氨氣反應淀積氮化硅。另外氧氣（以及水蒸氣）與晶圓本身反應生長氧化硅層一般單獨分類為氧化，不屬于CVD。優點是薄膜一致性好，缺點是受到反應氣體種類限制，不是所有的薄膜都能生長。

其他的薄膜生長工藝還有氧化、電鍍、外延、鍵合等。各有各的適用范圍。

離子注入和上面的根本不是一回事。

離子注入不是用來生長薄膜的，而是用來進行半導體摻雜的。通過加速電離的雜質離子，將其注入晶圓內部。然后在進行退火激活，讓雜質離子取代硅原子的晶格位置，形成摻雜能級，得到N型和P型半導體。
與離子注入相對的工藝是擴散工藝，擴散工藝不主動注入雜質粒子，而是通過濃度梯度讓雜質自然擴散到晶圓內部。

兩者相比注入工藝的精度遠高于擴散（擴散工藝的橫向擴散比離子注入差得多），不過粒子注入會形成更多的晶格損傷和缺陷態。

最后，這些都是半導體工藝，液晶面板工藝和半導體工藝沒關系。